투명 기판 또는 플렉시블 기판을 이용한 투명 또는 플렉서블한 비휘발성 메모리 소자 제조 방법

Abstract

본 발명은 (a)투명 기판 또는 플렉서블 기판 상에 투명 게이트 전극을 형성하는 단계; (b)내부에 투명 나노입자로 이루어진 투명 부유 게이트의 전면(全面)을 둘러싸는 투명 게이트 절연층을 상기 투명 게이트 전극 상에 형성하는 단계; (c)상기 투명 게이트 절연층 상에 투명 산화물 채널층을 형성하는 단계; 및 (d)상기 투명 산화물 채널층과 전기적으로 연결시키고, 상기 투명 부유 게이트와 비접촉되도록 투명 소스 전극 및 투명 드레인 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자 제조 방법을 제공한다.

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-2008547195-ADecember 25, 2008イーストマン コダック カンパニー亜鉛酸化物をベースとした半導体材料を含む薄膜トランジスタ
      KR-100803167-B1February 14, 2008고려대학교 산학협력단A nano floating gate memory using nano particle and a method for manufacturing thereof

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    Cited By (1)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      KR-20160021367-AFebruary 25, 2016한국세라믹기술원플라즈마 유도에 의한 유연 기판 전기전도성막 식각 방법